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首页 全部分类 BSL308CH6327XTSA1 vs BSL806NL6327HTSA1

BSL308CH6327XTSA1备选型号: BSL806NL6327HTSA1

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  • 场效应管特性
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  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 场效应管技术
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSL308CH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    PG-TSOP-6-6
    2.3A 2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    500mW
    500mW
    N and P-Channel Complementary
    57mOhm @ 2.3A, 10V
    2V @ 11μA
    无卤素
    275pF @ 15V
    1.5nC @ 10V
    30V
    2A
    -30V
    275pF
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    44mOhm
    57 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSL806NL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    -
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    500mW
    -
    2 N-Channel (Dual)
    57m Ω @ 2.3A, 2.5V
    750mV @ 11μA
    -
    259pF @ 10V
    1.7nC @ 2.5V
    20V
    2.3A
    -
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    SILICON
    yes
    6
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    鸥翼
    BSL806
    6
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    7.5 ns
    9.9ns
    3.7 ns
    8V
    0.057Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28.6 pF
    无
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