Infineon Technologies BSL806NL6327HTSA1
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BSL806NL6327HTSA1
1211-BSL806NL6327HTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
1最小包装量--
BSL806NL6327HTSA1详情
Infineon Technologies BSL806NL6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大功率耗散
500mW
终端形式
鸥翼
基本部件号
BSL806
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
7.5 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
57m Ω @ 2.3A, 2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 11μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
259pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.7nC @ 2.5V
上升时间
9.9ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
3.7 ns
连续放电电流(ID)
2.3A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏极-源极导通最大电阻
0.057Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
28.6 pF
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
BSL806NL6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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