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首页 全部分类 BSL716SNH6327XTSA1 vs NTGD4169FT1G

BSL716SNH6327XTSA1备选型号: NTGD4169FT1G

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    BSL716SNH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    SILICON
    2.5A Ta
    1.8V @ 218μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    R-PDSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    150m Ω @ 2.5A, 10V
    无卤素
    315pF @ 25V
    13.1nC @ 10V
    ±20V
    2.5A
    75V
    0.15Ohm
    10A
    33 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTGD4169FT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    SILICON
    2.6A Ta
    1.5V @ 250μA
    -25°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2008
    e3
    yes
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    -
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    90m Ω @ 2.6A, 4.5V
    -
    295pF @ 15V
    5.5nC @ 4.5V
    ±12V
    2.6A
    -
    0.09Ohm
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    6
    EAR99
    不合格
    Single
    900mW
    SWITCHING
    4ns
    4 ns
    12V
    30V
    Schottky Diode (Isolated)
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