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首页 全部分类 BSM150GB60DLCHOSA1 vs FMG2G200US60

BSM150GB60DLCHOSA1备选型号: FMG2G200US60

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  • 输入电容(Cies)@Vce
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 包装
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • Infineon Technologies
    BSM150GB60DLCHOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 600V 180A 595W
    16 Weeks
    Panel, Screw
    底座安装
    Module
    7
    SILICON
    600V
    1.95V
    -40°C~125°C
    2000
    no
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    730W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    Single
    Dual
    730W
    ISOLATED
    595W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    180A
    500μA
    155 ns
    2.45V @ 15V, 150A
    260 ns
    无
    6.5nF @ 25V
    30.5mm
    94mm
    34mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FMG2G200US60
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 7-Pin PM-HA
    -
    Chassis Mount, Panel
    底座安装
    7PM-HA
    7
    -
    600V
    2.1V
    -40°C~150°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    695W
    -
    -
    -
    半桥
    Dual
    695W
    -
    -
    -
    -
    Standard
    600V
    200A
    250μA
    -
    2.7V @ 15V, 200A
    -
    无
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Box
    600V
    200A
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FMG2G200US60 FMG2G200US60 ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 7PM-HA Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 7-Pin PM-HA 对比