BSM300D12P2E001备选型号: IRSM836-024MA

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  • 工厂交货时间
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  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 应用
  • 电压 - 供电
  • 电源电压
  • 基本部件号
  • 功能
  • 输出的数量
  • 最大输出电流
  • 电源
  • 界面
  • 模拟 IC - 其他类型
  • 电源电流
  • 输出配置
  • 最大电源电流
  • 接通延迟时间
  • 逻辑功能
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 电压-负荷
  • 驱动器数量
  • 隔离电压
  • 电机类型-交流,直流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
    25 Weeks
    表面贴装
    底座安装
    Module
    300A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tray
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    11
    EAR99
    1.875kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-XUFM-X11
    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    1875W
    2 N-Channel (Half Bridge)
    SWITCHING
    4V @ 68mA
    35000pF @ 10V
    1200V 1.2kV
    300A
    600A
    1200V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Silicon Carbide (SiC)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IC MTR DRIVER 13.5V-16.5V 36PQFN
    18 Weeks
    PCB, Surface Mount
    表面贴装
    36-PowerVQFN
    20kHz
    -40°C~150°C TJ
    Tray
    2013
    活跃
    3 (168 Hours)
    36
    -
    16W
    QUAD
    -
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    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    36
    Appliance
    13.5V~16.5V
    15V
    IRSM836-024
    Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
    3
    2A
    15V
    Parallel
    交流电机控制器
    125μA
    Half Bridge (3)
    10mA
    1.5 μs
    AND
    250V
    2A
    200V Max
    6
    1.5kV
    AC, Synchronous
    950μm
    12mm
    12mm
    无SVHC
    无铅
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