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首页 全部分类 BSM35GD120DN2 vs APTGT35X120T3G

BSM35GD120DN2备选型号: APTGT35X120T3G

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  • 箱体转运
  • 极性/通道类型
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSM35GD120DN2
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 50A 17-Pin ECONOPACK 2
    18 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    17
    SILICON
    1.2kV
    2.7V
    150°C TJ
    1999
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    17
    EAR99
    280W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    17
    三相逆变器
    280W
    ISOLATED
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    50A
    1200V
    120 ns
    3.2V @ 15V, 35A
    450 ns
    NPT
    无
    20V
    2nF @ 25V
    3.2 V
    17mm
    107.5mm
    45.5mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT35X120T3G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 55A 32-Pin Case SP-3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    32
    SILICON
    1.2kV
    -
    -40°C~150°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    25
    EAR99
    208W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    25
    三相逆变器
    -
    ISOLATED
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    55A
    1200V
    140 ns
    2.1V @ 15V, 35A
    610 ns
    沟渠现场停车
    有
    20V
    2.5nF @ 25V
    2.1 V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    Bulk
    e1
    yes
    锡银铜
    R-XUFM-X25
    208W
    MOTOR CONTROL
    250μA
    2.5nF
    无
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