Infineon Technologies BSM35GD120DN2

工厂交货时间

18 Weeks

底架

Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

17

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7V

Number of Elements

6

操作温度

150°C TJ

已出版

1999

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

17

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

280W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

17

配置

三相逆变器

功率耗散

280W

箱体转运

ISOLATED

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

50A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

120 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 15V, 35A

关断时间-标准值（toff)

450 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

2nF @ 25V

VCEsat-最大值

3.2 V

高度

17mm

长度

107.5mm

宽度

45.5mm

RoHS状态

符合RoHS标准