BSM75GB60DLCHOSA1备选型号: APTGT75DA60T1G
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 输入电容
- IGBT类型
- IGBT MOD 600V 100A 355W14 WeeksScrew底座安装Module34SILICON600V2.2V-40°C~125°C2000no最后一次购买1 (Unlimited)7EAR99355WUPPERUNSPECIFIED7R-XUFM-X7SingleDual355WISOLATED不含卤素N-CHANNELStandard600V100A500μA90 ns2.45V @ 15V, 75A205 ns无3.3nF @ 25V30.5mm94mm34mm符合RoHS标准无铅----------
- IGBT MODULE 600V 100A 250W SP136 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP11SILICON600V--40°C~175°C TJ2007yes活跃1 (Unlimited)12EAR99250WUPPERTHROUGH-HOLE12-Single--ISOLATED-N-CHANNELStandard1.9V100A250μA170 ns1.9V @ 15V, 75A310 ns有4.62nF @ 25V---符合RoHS标准-IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)e1Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)未说明未说明不合格250WMOTOR CONTROL4.62nF沟渠现场停车
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGT75DA60T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1 | 对比 |
| FMG2G75US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-GA | IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA | 对比 |




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