BSO211PNTMA1备选型号: ZXMN6A25N8TA
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- 底架
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 工厂交货时间
- 供应商器件包装
- 质量
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 功率耗散
- Vgs(最大值)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 8-Pin DSO表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2002OptiMOS™Obsolete1 (Unlimited)8EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE2W鸥翼BSO211SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET7.8 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING67m Ω @ 4.7A, 4.5V1.2V @ 25μA920pF @ 15V23.9nC @ 4.5V10.6ns20V23.3 ns4.7A12V0.067Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门符合RoHS标准无-----------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 5.7A 8-Pin SOIC T/R表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-4.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008-活跃1 (Unlimited)--------3.8 nsN-Channel-50mOhm @ 3.6A, 10V3V @ 250μA1063pF @ 30V20.4nC @ 10V4ns60V10.6 ns5.7A20V----ROHS3 Compliant无17 Weeks8-SO73.992255mg50mOhm150°C-55°C12.8W±20V1.063nF50mOhm50 mΩ1.5mm5mm4mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7341TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC | 对比 |
![]() | DMP6050SSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO | 对比 |




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