Infineon Technologies BSO211PNTMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

26.3 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

系列

OptiMOS™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

基本部件号

BSO211

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

7.8 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

67m Ω @ 4.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

920pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23.9nC @ 4.5V

上升时间

10.6ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

23.3 ns

连续放电电流(ID)

4.7A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.067Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无