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首页 全部分类 BSO303PHXUMA1 vs IRF7351TRPBF

BSO303PHXUMA1备选型号: IRF7351TRPBF

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  • 引脚数量
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  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 晶体管应用
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSO303PHXUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin DSO Dry
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    逻辑电平兼容
    8541.29.00.95
    鸥翼
    未说明
    未说明
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    21m Ω @ 8.2A, 10V
    2V @ 100μA
    无卤素
    2678pF @ 25V
    49nC @ 10V
    13ns
    30V
    7A
    20V
    -30V
    7A
    0.021Ohm
    32.8A
    97 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7351TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    17.8m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 50μA
    -
    1330pF @ 30V
    36nC @ 10V
    5.9ns
    60V
    8A
    20V
    -
    8A
    -
    64A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    8
    Matte Tin (Sn)
    2W
    IRF7351PBF
    Dual
    2W
    5.1 ns
    SWITCHING
    6.7 ns
    60V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
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