Infineon Technologies BSO303PHXUMA1
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BSO303PHXUMA1
1211-BSO303PHXUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin DSO Dry
1最小包装量--
BSO303PHXUMA1详情
Infineon Technologies BSO303PHXUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
2W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
21m Ω @ 8.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 100μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2678pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
49nC @ 10V
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
-30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏极-源极导通最大电阻
0.021Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
32.8A
雪崩能量等级(Eas)
97 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSO303PHXUMA1拓展信息
Infineon Technologies
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