您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSO612CVGHUMA1 vs IRF9956TRPBF

BSO612CVGHUMA1备选型号: IRF9956TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSO612CVGHUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3A 2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    1999
    e4
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    雪崩 额定
    2W
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    3A
    未说明
    BSO612
    AEC-Q101
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    120m Ω @ 3A, 10V
    4V @ 20μA
    不含卤素
    340pF @ 25V
    15.5nC @ 10V
    60V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    2A
    20V
    -60V
    3A
    47 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9956TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    2W
    -
    鸥翼
    -
    3.5A
    -
    IRF9956PBF
    -
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    100m Ω @ 2.2A, 10V
    1V @ 250μA
    -
    190pF @ 15V
    14nC @ 10V
    -
    -
    3.5A
    20V
    -
    -
    44 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    20V
    Dual
    6.2 ns
    SWITCHING
    8.8ns
    3 ns
    0.1Ohm
    30V
    16A
    20 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF9953TRPBF IRF9953TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC 对比
BSO615NGHUMA1 BSO615NGHUMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 8-Pin SO 对比