Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A 2A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

1999

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BSO612

参考标准

AEC-Q101

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 20μA

无卤素

不含卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

340pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

-60V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

雪崩能量等级（Eas）

47 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅