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BSO615CGHUMA1备选型号: IRF7351TRPBF
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- 零件状态
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- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 极性/通道类型
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
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- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A Automotive 8-Pin DSO T/R26 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON3.1A 2A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®1999e3yesObsolete3 (168 Hours)8EAR99雪崩 额定DUAL鸥翼BSO6158增强型MOSFET2WN and P-Channel110m Ω @ 3.1A, 10V2V @ 20μA不含卤素380pF @ 25V22.5nC @ 10VN-CHANNEL AND P-CHANNEL20V60V3.1A0.11Ohm47 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC12 Weeks-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009e3-活跃1 (Unlimited)8EAR99--鸥翼IRF7351PBF-增强型MOSFET2W2 N-Channel (Dual)17.8m Ω @ 8A, 10V4V @ 50μA-1330pF @ 30V36nC @ 10V-20V-8A--METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅Matte Tin (Sn)2WDual5.1 nsSWITCHING5.9ns60V6.7 ns8A60V64A1.4986mm4.9784mm3.9878mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN6066SSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO | 对比 |
| BSO615NGHUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 8-Pin SO | 对比 |
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