Infineon Technologies BSO615CGHUMA1

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A 2A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

BSO615

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 3.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 20μA

无卤素

不含卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22.5nC @ 10V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.11Ohm

雪崩能量等级（Eas）

47 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅