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首页 全部分类 BSP100,135 vs PMDPB70EN,115

BSP100,135备选型号: PMDPB70EN,115

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 场效应管特性
  • Nexperia USA Inc.
    BSP100,135
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223
    Tin
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    YES
    4
    4.535924g
    SILICON
    3.2A Ta
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    8.3W
    DRAIN
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.2A, 10V
    2.8V @ 1mA
    250pF @ 20V
    6nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    15 ns
    6A
    20V
    30V
    3.5A
    30V
    2 V
    75ns
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    PMDPB70EN,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
    -
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    6
    -
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    6
    -
    -
    1.165W
    -
    3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    57m Ω @ 3.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    130pF @ 15V
    4.5nC @ 10V
    16ns
    -
    5 ns
    3.5A
    20V
    30V
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    510mW
    Dual
    510mW
    逻辑电平门
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