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首页 全部分类 BSP125L6433HTMA1 vs BSP129L6327HTSA1

BSP125L6433HTMA1备选型号: BSP129L6327HTSA1

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    BSP125L6433HTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    120mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    7.7 ns
    N-Channel
    45 Ω @ 120mA, 10V
    2.3V @ 94μA
    150pF @ 25V
    6.6nC @ 10V
    14.4ns
    600V
    ±20V
    110 ns
    120mA
    20V
    600V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP129L6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    350mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    -
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    1.8W
    DRAIN
    4.4 ns
    N-Channel
    6 Ω @ 350mA, 10V
    1V @ 108μA
    108pF @ 25V
    5.7nC @ 5V
    4.1ns
    240V
    ±20V
    35 ns
    350mA
    20V
    -
    无
    符合RoHS标准
    e3
    EAR99
    哑光锡
    4
    0.35A
    6Ohm
    耗尽模式
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