ON Semiconductor IRLM220ATF

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

21 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

质量

188mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.13A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Tc

Turn Off Delay Time

6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

800m Ω @ 570mA, 5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

430pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 5V

上升时间

24ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

1.13A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.8Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9A

雪崩能量等级（Eas）

29 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant