您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSP296NH6327XTSA1 vs BSP296L6327HTSA1

BSP296NH6327XTSA1备选型号: BSP296L6327HTSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSP296NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    250.212891mg
    SILICON
    PG-SOT223-4
    1.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    3.5 ns
    N-Channel
    600m Ω @ 1.2A, 10V
    1.8V @ 100μA
    无卤素
    152.7pF @ 25V
    6.7nC @ 10V
    7.9ns
    ±20V
    21.4 ns
    1.2A
    1.4V
    20V
    100V
    0.6Ohm
    100V
    150°C
    1.8mm
    6.5mm
    3.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP296L6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    -
    SILICON
    -
    1.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2002
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.79W
    DRAIN
    5.2 ns
    N-Channel
    700m Ω @ 1.1A, 10V
    1.8V @ 400μA
    -
    364pF @ 25V
    17.2nC @ 10V
    7.9ns
    ±20V
    21.4 ns
    1.1A
    -
    20V
    -
    0.7Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    yes
    哑光锡
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    100V
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLM110ATF IRLM110ATF ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223 对比