Infineon Technologies BSP296NH6327XTSA1
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BSP296NH6327XTSA1
1211-BSP296NH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
--最小包装量--
BSP296NH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSP296NH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
250.212891mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
PG-SOT223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
Turn Off Delay Time
18.4 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600m Ω @ 1.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 100μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
152.7pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.7nC @ 10V
上升时间
7.9ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
21.4 ns
连续放电电流(ID)
1.2A
阈值电压
1.4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.6Ohm
漏源击穿电压
100V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.8mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSP296NH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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