您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSP318SH6327XTSA1 vs BSP170PL6327HTSA1

BSP318SH6327XTSA1备选型号: BSP170PL6327HTSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    BSP318SH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    PG-SOT223-4
    2.6A Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SMD/SMT
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    4
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    90m Ω @ 2.6A, 10V
    2V @ 20μA
    无卤素
    380pF @ 25V
    20nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    15 ns
    2.6A
    1.6V
    20V
    60V
    60V
    60V
    60 mJ
    75 ns
    1.6 V
    1.8mm
    6.5mm
    3.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP170PL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    -
    1.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    -
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    4
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    14 ns
    P-Channel
    300m Ω @ 1.9A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    410pF @ 25V
    14nC @ 10V
    -
    ±20V
    60 ns
    1.9A
    -
    20V
    -
    -
    -
    70 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    60V
    0.3Ohm
    7.6A
    60V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 对比
BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R 对比
BSP170PL6327HTSA1 BSP170PL6327HTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R 对比