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首页 全部分类 BSP321PH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1

BSP321PH6327XTSA1备选型号: BSP315PH6327XTSA1

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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 无铅
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  • 终端
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSP321PH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 100V 0.98A 4-Pin SOT-223 T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    250.212891mg
    SILICON
    980mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS™
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.9 ns
    P-Channel
    900m Ω @ 980mA, 10V
    4V @ 380μA
    无卤素
    319pF @ 25V
    12nC @ 10V
    4.4ns
    100V
    ±20V
    8.5 ns
    980mA
    20V
    -100V
    0.98A
    0.9Ohm
    3.5mm
    6.5mm
    1.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP315PH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    -
    SILICON
    1.17A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SIPMOS®
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    4
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    24 ns
    P-Channel
    800m Ω @ 1.17A, 10V
    2V @ 160μA
    无卤素
    160pF @ 25V
    7.8nC @ 10V
    9ns
    60V
    ±20V
    19 ns
    1.17A
    20V
    -60V
    -
    0.8Ohm
    1.8mm
    6.5mm
    6.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-SOT223-4
    SMD/SMT
    1.8W
    -1.5V
    -60V
    -60V
    46 ns
    150°C
    -1.5 V
    无SVHC
    无
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