Infineon Technologies BSP315PH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

PG-SOT223-4

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.17A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

SIPMOS®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

800m Ω @ 1.17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 160μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

160pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.8nC @ 10V

上升时间

9ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

1.17A

阈值电压

-1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

-60V

漏极-源极导通最大电阻

0.8Ohm

漏源击穿电压

-60V

双电源电压

-60V

恢复时间

46 ns

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

-1.5 V

高度

1.8mm

长度

6.5mm

宽度

6.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅