BSP603S2LHUMA1备选型号: IRLL2705TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    5.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    逻辑电平兼容
    55V
    DUAL
    鸥翼
    5.2A
    4
    Single
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    10.8 ns
    N-Channel
    33m Ω @ 2.6A, 10V
    2V @ 50μA
    不含卤素
    1390pF @ 25V
    42nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    16 ns
    5.2A
    20V
    55V
    55V
    1.6mm
    6.5mm
    3.5mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    3.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    逻辑电平兼容
    55V
    DUAL
    鸥翼
    3.8A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    6.2 ns
    N-Channel
    40m Ω @ 3.8A, 10V
    2V @ 250μA
    -
    870pF @ 25V
    48nC @ 10V
    12ns
    ±16V
    22 ns
    3.8A
    16V
    -
    55V
    1.8mm
    6.6802mm
    6.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    40mOhm
    Matte Tin (Sn)
    260
    30
    R-PDSO-G4
    1
    2V
    5.2A
    55V
    88 ns
    150°C
    2 V
    无SVHC
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