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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.369552
10
¥12.612785
100
¥11.89885
500
¥11.225337
1000
¥10.589937
Infineon Technologies BSP603S2LHUMA1
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- 对比
BSP603S2LHUMA1
1211-BSP603S2LHUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSP603S2LHUMA1详情
Infineon Technologies BSP603S2LHUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
Turn Off Delay Time
28 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
电压 - 额定直流
55V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
5.2A
引脚数量
4
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10.8 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
33m Ω @ 2.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 50μA
无卤素
不含卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1390pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
42nC @ 10V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
5.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
55V
漏源击穿电压
55V
高度
1.6mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
BSP603S2LHUMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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