BSP603S2LHUMA1
BSP603S2LHUMA1

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Infineon Technologies BSP603S2LHUMA1

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型号

BSP603S2LHUMA1

utmel 编号

1211-BSP603S2LHUMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223

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BSP603S2LHUMA1
BSP603S2LHUMA1 Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223

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BSP603S2LHUMA1详情

Infineon Technologies BSP603S2LHUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 引脚数

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5.2A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1.8W Ta

  • Turn Off Delay Time

    28 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 电压 - 额定直流

    55V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    5.2A

  • 引脚数量

    4

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.8W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    10.8 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    33m Ω @ 2.6A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 50μA

  • 无卤素

    不含卤素

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1390pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    42nC @ 10V

  • 上升时间

    16ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    16 ns

  • 连续放电电流(ID)

    5.2A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大双电源电压

    55V

  • 漏源击穿电压

    55V

  • 高度

    1.6mm

  • 长度

    6.5mm

  • 宽度

    3.5mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies BSP603S2LHUMA1.

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & BSP603S2LHUMA1相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
    Number of Terminations
    查看对比:
  • BSP603S2LHUMA1

    BSP603S2LHUMA1

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    5.2 A

    5.2A (Ta)

    20 V

    1.8 W

    1.8W (Ta)

    4

  • IRLL2705TRPBF

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    3.8 A

    3.8A (Ta)

    16 V

    2.1 W

    1W (Ta)

    4

查看更多

BSP603S2LHUMA1拓展信息

IRFR6215TRPBF
IRFR6215TRPBF

Infineon Technologies

IRFR5505TRPBF
IRFR5505TRPBF

Infineon Technologies

IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF

Infineon Technologies

IRFR220NTRPBF
IRFR220NTRPBF

Infineon Technologies

IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

Infineon Technologies

IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NTRPBF

Infineon Technologies

IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF

Infineon Technologies

IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NTRPBF

Infineon Technologies

IRLR024NTRPBF
IRLR024NTRPBF

Infineon Technologies

IRLL2705TRPBF
IRLL2705TRPBF

Infineon Technologies

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