BSP612PH6327XTSA1备选型号: IRFL014NTRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
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- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大双电源电压
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- SMALL SIGNAL P-CH39 Weeks表面贴装SOT-223Tape & Reel (TR)2014yesObsolete1 (Unlimited)EAR99150°C-55°C未说明未说明无卤素-60V-60VROHS3 Compliant无铅----------------------------------------
- MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT22312 Weeks表面贴装TO-261-4, TO-261AATape & Reel (TR)2004-活跃1 (Unlimited)EAR99-------ROHS3 Compliant无铅表面贴装3SILICON1.9A Ta-55°C~150°C TJHEXFET®4160mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY55VDUAL鸥翼1.9AR-PDSO-G4Single增强型MOSFET2.1WDRAIN6.6 nsN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 1.9A, 10V4V @ 250μA190pF @ 25V11nC @ 10V7.1ns±20V3.3 ns1.9A4V20V2.7A55V61 ns4 V1.4478mm6.6802mm3.7mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 | 对比 |
![]() | IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 | 对比 |




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