BSP716NH6327XTSA1备选型号: IRLL014NTRPBF

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
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  • 供应商器件包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
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  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    PG-SOT223-4
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    160mOhm @ 2.3A, 10V
    1.8V @ 218μA
    无卤素
    315pF @ 25V
    13.1nC @ 10V
    5.5ns
    75V
    ±20V
    2.3A
    20V
    75V
    315pF
    122mOhm
    160 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    -
    2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    140m Ω @ 2A, 10V
    2V @ 250μA
    -
    230pF @ 25V
    14nC @ 10V
    4.9ns
    -
    ±16V
    2A
    16V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    4
    EAR99
    200mOhm
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    55V
    DUAL
    鸥翼
    2A
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    5.1 ns
    SWITCHING
    2.9 ns
    2V
    2A
    55V
    55V
    61 ns
    2 V
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无SVHC
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