Infineon Technologies IRLL014NTRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

200mOhm

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

55V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

2A

JESD-30代码

R-PDSO-G4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

140m Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

230pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

上升时间

4.9ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

2.9 ns

连续放电电流(ID)

2A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

55V

双电源电压

55V

恢复时间

61 ns

栅源电压

2 V

高度

1.4478mm

长度

6.6802mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅