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首页 全部分类 BSR606NH6327XTSA1 vs PMF780SN,115

BSR606NH6327XTSA1备选型号: PMF780SN,115

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    BSR606NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    59
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    Single
    500mW
    N-Channel
    60m Ω @ 2.3A, 10V
    2.3V @ 15μA
    无卤素
    657pF @ 25V
    5.6nC @ 5V
    ±20V
    2.3A
    1.8V
    20V
    60V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMF780SN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323
    -
    -
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    570mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    -
    -
    N-Channel
    920m Ω @ 300mA, 10V
    2V @ 250μA
    -
    23pF @ 30V
    1.05nC @ 10V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    3
    8541.29.00.75
    DUAL
    鸥翼
    3
    R-PDSO-G3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    60V
    0.57A
    0.92Ohm
    60V
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