BSS7728NH6327XTSA2备选型号: BSS138NH6327XTSA2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 端子表面处理
- 附加功能
- 引脚数量
- 电压
- 电流
- 接通延迟时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON200mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®2003e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR9960VDUAL鸥翼200mASINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET360mWN-Channel5 Ω @ 500mA, 10V2.3V @ 26μA无卤素56pF @ 25V1.5nC @ 10V2.7ns±20V200mA20V60V0.2A5Ohm4.4 pF无ROHS3 Compliant无铅--------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R10 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON230mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2002e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99-DUAL鸥翼-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET360mWN-Channel3.5 Ω @ 230mA, 10V1.4V @ 26μA无卤素41pF @ 25V1.4nC @ 10V3ns±20V230mA20V60V---无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMTMatte Tin (Sn)逻辑电平兼容350V2A2.3 ns8.2 ns1V60V14.5 ns1 V3.05mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BS870-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET, N CH, 60V, 0.25A, SOT-23 | 对比 |
![]() | BSS138 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 | 对比 |
![]() | SN7002NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 60 V 5 Ohm 1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23 | 对比 |




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