Infineon Technologies SN7002NH6327XTSA2
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SN7002NH6327XTSA2
1211-SN7002NH6327XTSA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Single N-Channel 60 V 5 Ohm 1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23
--最小包装量--
SN7002NH6327XTSA2详情
Infineon Technologies SN7002NH6327XTSA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta
Turn Off Delay Time
5.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
已出版
2003
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
360mW
接通延迟时间
2.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 26μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
45pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.5nC @ 10V
上升时间
3.2ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.6 ns
连续放电电流(ID)
200mA
阈值电压
1.4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2A
漏极-源极导通最大电阻
5Ohm
漏源击穿电压
60V
最大结点温度(Tj)
150°C
反馈上限-最大值 (Crss)
4.2 pF
高度
1.1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SN7002NH6327XTSA2拓展信息
Infineon Technologies
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