您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSS806NH6327XTSA1 vs FDN335N

BSS806NH6327XTSA1备选型号: FDN335N

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 电压
  • 电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSS806NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SOT-23-3
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    Single
    7.5 ns
    N-Channel
    57mOhm @ 2.3A, 2.5V
    750mV @ 11μA
    无卤素
    529pF @ 10V
    1.7nC @ 2.5V
    9.9ns
    20V
    ±8V
    2.3A
    8V
    20V
    370pF
    41mOhm
    57 mΩ
    1mm
    2.9mm
    1.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN335N
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDN335N - Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SOT-23, Surface Mount
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    1.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    5 ns
    N-Channel
    70m Ω @ 1.7A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    -
    310pF @ 10V
    5nC @ 4.5V
    8.5ns
    -
    ±8V
    1.7A
    8V
    -
    -
    -
    -
    940μm
    2.92mm
    3.05mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    Tin
    SILICON
    CASE 527AG-01
    e3
    yes
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    70MOhm
    20V
    DUAL
    鸥翼
    1.7A
    20V
    17A
    增强型MOSFET
    500mW
    SWITCHING
    8.5 ns
    900mV
    20V
    25V
    800 mV
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDN335N FDN335N ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ON SEMICONDUCTOR - FDN335N - Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SOT-23, Surface Mount 对比
FDN340P FDN340P ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ON SEMICONDUCTOR - FDN340P - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SuperSOT, Surface Mount 对比