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首页 全部分类 BSS84LT1G vs BSS84TA

BSS84LT1G备选型号: BSS84TA

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    BSS84LT1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - BSS84LT1G - Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    23 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    130mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    10Ohm
    -50V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -130mA
    10
    3
    Single
    增强型MOSFET
    225mW
    3.6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    10 Ω @ 100mA, 5V
    2V @ 250μA
    无卤素
    30pF @ 5V
    1ns
    ±20V
    1 ns
    130mA
    -2V
    20V
    50V
    2 V
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    BSS84TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
    -
    -
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    3
    SILICON
    130mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    10Ohm
    -50V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -130mA
    40
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300mW
    10 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    10 Ω @ 100mA, 5V
    2V @ 1mA
    -
    40pF @ 25V
    10ns
    ±20V
    10 ns
    130mA
    -
    20V
    -50V
    -
    1mm
    2.9mm
    1.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    7.994566mg
    1
    50V
  • 添加型号
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