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首页 全部分类 BSS84PH6327XTSA2 vs BSS123NH6327XTSA1

BSS84PH6327XTSA2备选型号: BSS123NH6327XTSA1

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    BSS84PH6327XTSA2
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    170mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2002
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    12Ohm
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    DUAL
    鸥翼
    1
    60V
    Single
    17A
    增强型MOSFET
    360mW
    6.7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    8 Ω @ 170mA, 10V
    2V @ 20μA
    无卤素
    19pF @ 25V
    1.5nC @ 10V
    16.2ns
    ±20V
    170mA
    -1.5V
    20V
    -60V
    -1.5 V
    900μm
    2.9mm
    1.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSS123NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 100V 6 Ohm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    190mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    1
    -
    Single
    -
    增强型MOSFET
    500mW
    2.3 ns
    N-Channel
    -
    6 Ω @ 190mA, 10V
    1.8V @ 13μA
    无卤素
    20.9pF @ 25V
    0.9nC @ 10V
    3.2ns
    ±20V
    190mA
    -
    20V
    100V
    -
    1.1mm
    2.9mm
    1.3mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    Tin (Sn)
    260
    30
    3
    22 ns
    6Ohm
    100V
    150°C
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