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BSS84PWH6327XTSA1备选型号: 2N7002W
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 电阻
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 达到SVHC
P-CHANNEL MOS10 WeeksTin表面贴装表面贴装SC-70, SOT-3233SILICON150mA Ta2V @ 20μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SIPMOS®2000e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE-60VDUAL鸥翼-150mA1Single增强型MOSFET300mW6.7 nsP-Channel8 Ω @ 150mA, 10V无卤素19.1pF @ 25V1.5nC @ 10V16.2ns60V±20V20.5 ns-150mA20V-60V8Ohm-60V150°C1mm2mm1.25mm无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-32313 WeeksTin表面贴装表面贴装SC-70, SOT-3233SILICON115mA Ta2V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2008e3yesACTIVE (Last Updated: 3 days ago)1 (Unlimited)3EAR99--DUAL鸥翼-1Single增强型MOSFET280mW12.2 nsN-Channel7.5 Ω @ 50mA, 5V-50pF @ 25V---±20V-310mA20V--60V150°C1.1mm2mm1.25mm无ROHS3 Compliant无铅30mg7.5OhmSWITCHING1V7 pF无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N7002W-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 | 对比 |
| BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323 | 对比 |
| 2N7002W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 | 对比 |
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