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首页 全部分类 BSS84W-7-F vs BSS84PWH6327XTSA1

BSS84W-7-F备选型号: BSS84PWH6327XTSA1

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  • 端子位置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 无卤素
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • Diodes Incorporated
    BSS84W-7-F
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    6.010099mg
    SILICON
    130mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    10Ohm
    LOW CAPACITANCE
    -50V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -130mA
    40
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    200mW
    10 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    10 Ω @ 100mA, 5V
    2V @ 1mA
    45pF @ 25V
    50V
    ±20V
    -130mA
    -1.6V
    20V
    -1.6 V
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSS84PWH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    P-CHANNEL MOS
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    -
    SILICON
    150mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -60V
    DUAL
    鸥翼
    -
    -150mA
    -
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    300mW
    6.7 ns
    P-Channel
    -
    8 Ω @ 150mA, 10V
    2V @ 20μA
    19.1pF @ 25V
    60V
    ±20V
    -150mA
    -
    20V
    -
    1mm
    2mm
    1.25mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SIPMOS®
    无卤素
    1.5nC @ 10V
    16.2ns
    20.5 ns
    -60V
    8Ohm
    -60V
    150°C
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