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首页 全部分类 BSZ017NE2LS5IATMA1 vs IRFHM4226TRPBF

BSZ017NE2LS5IATMA1备选型号: IRFHM4226TRPBF

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSZ017NE2LS5IATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 27A 8SON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    4.5V 10V
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.7m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    2000pF @ 12V
    30nC @ 10V
    ±16V
    40A
    25V
    27A
    0.0023Ohm
    160A
    40 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM4226TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 25V 28A PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-TQFN Exposed Pad
    5
    SILICON
    28A Ta
    2.1V @ 50μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 30A, 10V
    -
    2000pF @ 13V
    32nC @ 10V
    ±20V
    28A
    -
    40A
    -
    420A
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    EAR99
    2.2MOhm
    Single
    2.7W
    11 ns
    35ns
    25V
    8.1 ns
    1.6V
    20V
    900μm
    3.3mm
    3.3mm
    无
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