您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSZ033NE2LS5ATMA1 vs FDMS8023S

BSZ033NE2LS5ATMA1备选型号: FDMS8023S

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSZ033NE2LS5ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans Mosfet N-ch 25V 40A 8-PIN Tsdson T/r
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    18A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1230pF @ 12V
    18.3nC @ 10V
    ±16V
    40A
    25V
    0.0041Ohm
    160A
    20 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8023S
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    26A Ta 49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    260
    -
    30
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 26A, 10V
    3V @ 1mA
    -
    3550pF @ 15V
    57nC @ 10V
    ±20V
    49A
    -
    0.0024Ohm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    68.1mg
    e3
    Tin (Sn)
    Single
    59W
    12 ns
    5ns
    4 ns
    1.7V
    MO-240AA
    20V
    26A
    30V
    1.7 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDMS8023S FDMS8023S ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET 对比
IRFH8316TRPBF IRFH8316TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6 对比
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN BSZ031NE2LS5 series 25V 40A 3.1 mOhm N-Ch S3O8 OptiMOS? 5 对比