您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSZ0500NSIATMA1 vs IPD050N03LGATMA1

BSZ0500NSIATMA1备选型号: IPD050N03LGATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    BSZ0500NSIATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 30A 8SON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    1
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    3400pF @ 15V
    52nC @ 10V
    ±20V
    40A
    30V
    30A
    0.0019Ohm
    160A
    90 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD050N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    50A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    3200pF @ 15V
    31nC @ 10V
    ±20V
    50A
    30V
    -
    -
    -
    60 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    e3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    不合格
    Single
    68W
    6.7 ns
    13ns
    3.8 ns
    TO-252AA
    20V
    30V
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 N-KANAL POWER MOS 对比
FDMS7670AS FDMS7670AS ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET 对比
BSZ013NE2LS5IATMA1 BSZ013NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Single N-Channel 25 V 1.3 mOhm 37 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-8 FL 对比