ON Semiconductor FDMS7670AS
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FDMS7670AS
1807-FDMS7670AS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET
--最小包装量--
FDMS7670AS详情
ON Semiconductor FDMS7670AS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
68.1mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
22A Ta 42A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 65W Tc
Turn Off Delay Time
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®, SyncFET™
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
3MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
JESD-30代码
R-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
65W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3m Ω @ 21A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4225pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
66nC @ 10V
上升时间
6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
42A
阈值电压
1.6V
JEDEC-95代码
MO-240AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
22A
漏源击穿电压
30V
栅源电压
1.6 V
高度
1.05mm
长度
5mm
宽度
6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMS7670AS拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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