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首页 全部分类 BSZ0501NSIATMA1 vs FDMS7658AS

BSZ0501NSIATMA1备选型号: FDMS7658AS

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 无铅
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  • 质量
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  • ECCN 代码
  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
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  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSZ0501NSIATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    25A Ta 40A Tc
    2V @ 250μA
    OptiMOS™
    2013
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    2000pF @ 15V
    33nC @ 10V
    ±20V
    40A
    30V
    25A
    0.0025Ohm
    160A
    40 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7658AS
    ON Semiconductor
    MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    29A Ta 70A Tc
    3V @ 1mA
    PowerTrench®, SyncFET™
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.9m Ω @ 28A, 10V
    -
    7350pF @ 15V
    109nC @ 10V
    ±20V
    49A
    -
    29A
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    68.1mg
    e3
    EAR99
    Single
    89W
    20 ns
    8ns
    5 ns
    1.7V
    MO-240AA
    20V
    30V
    1.7 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
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