ON Semiconductor FDMS0302S

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

68.1mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

29A Ta 49A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 89W Tc

Turn Off Delay Time

43 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®, SyncFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

通道数量

2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.9m Ω @ 28A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7350pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

109nC @ 10V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

49A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0019Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

150A

DS 击穿电压-最小值

30V

高度

1mm

长度

6mm

宽度

5mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅