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首页 全部分类 BSZ097N10NS5ATMA1 vs BSZ084N08NS5ATMA1

BSZ097N10NS5ATMA1备选型号: BSZ084N08NS5ATMA1

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    BSZ097N10NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    8A Ta 40A Tc
    3.8V @ 36μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.7m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    2080pF @ 50V
    28nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5 ns
    40A
    20V
    100V
    8A
    0.0097Ohm
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ084N08NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    40A Tc
    3.8V @ 31μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.4m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    1820pF @ 40V
    25nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5 ns
    40A
    20V
    80V
    -
    -
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    80V
    76 mJ
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