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首页 全部分类 BSZ097N10NS5ATMA1 vs FDMS86103L

BSZ097N10NS5ATMA1备选型号: FDMS86103L

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 无铅
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  • 质量
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  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSZ097N10NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    8A Ta 40A Tc
    3.8V @ 36μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.7m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    2080pF @ 50V
    28nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5 ns
    40A
    20V
    100V
    8A
    0.0097Ohm
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS86103L
    ON Semiconductor
    In a Pack of 3, N-Channel MOSFET, 49 A, 100 V, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor FDMS86103L
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    12A Ta 49A Tc
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    R-PDSO-F5
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 12A, 10V
    -
    3710pF @ 50V
    60nC @ 10V
    7.2ns
    ±20V
    6 ns
    49A
    20V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    68.1mg
    e3
    EAR99
    2.5W
    1.9V
    MO-240AA
    100V
    1.05mm
    5mm
    6.15mm
    无
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