BSZ100N06LS3GATMA1备选型号: BSZ067N06LS3GATMA1

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • Infineon Technologies
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON Infineon BSZ100N06LS3GATMA1
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    11A Ta 20A Tc
    2.2V @ 23μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    DUAL
    无铅
    S-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    3500pF @ 30V
    45nC @ 10V
    58ns
    ±20V
    11A
    20V
    60V
    20A
    55 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    14A Ta 20A Tc
    2.2V @ 35μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2001
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    逻辑电平兼容
    DUAL
    无铅
    S-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    6.7m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    5100pF @ 30V
    67nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    14A
    20V
    60V
    -
    -
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    未说明
    未说明
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