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首页 全部分类 BSZ100N06LS3GATMA1 vs IRF7855TRPBF

BSZ100N06LS3GATMA1备选型号: IRF7855TRPBF

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 资历状况
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  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • 最大双电源电压
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  • 无铅
  • 电阻
  • 元素配置
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSZ100N06LS3GATMA1
    Infineon Technologies
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON Infineon BSZ100N06LS3GATMA1
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    11A Ta 20A Tc
    2.2V @ 23μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    DUAL
    无铅
    S-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    3500pF @ 30V
    45nC @ 10V
    58ns
    ±20V
    11A
    20V
    60V
    20A
    55 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7855TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    12A Ta
    4.9V @ 100μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    8.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.4m Ω @ 12A, 10V
    -
    1560pF @ 25V
    39nC @ 10V
    13ns
    ±20V
    12A
    20V
    -
    -
    540 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    9.4MOhm
    Single
    12 ns
    60V
    97A
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
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IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC 对比