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首页 全部分类 BTS115ANKSA1 vs IRLIB9343PBF

BTS115ANKSA1备选型号: IRLIB9343PBF

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  • 端子位置
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BTS115ANKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 50V 15.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    15.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TEMPFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 7.8A, 4.5V
    2.5V @ 1mA
    735pF @ 25V
    50V
    ±10V
    15.5A
    TO-220AB
    0.12Ohm
    62A
    50V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLIB9343PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    14A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    HIGH RELIABILITY
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    P-Channel
    SWITCHING
    105m Ω @ 3.4A, 10V
    1V @ 250μA
    660pF @ 50V
    55V
    ±20V
    -14A
    TO-220AB
    -
    60A
    -
    ROHS3 Compliant
    14 Weeks
    EAR99
    93MOhm
    -55V
    -14A
    Single
    33W
    9.5 ns
    47nC @ 10V
    24ns
    9.5 ns
    -1V
    20V
    -55V
    -55V
    -1 V
    9.8mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    无铅
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