Infineon Technologies BTS115ANKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

TEMPFET®

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 7.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

735pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

50V

Vgs（最大值）

±10V

连续放电电流(ID)

15.5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.12Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

62A

DS 击穿电压-最小值

50V

RoHS状态

符合RoHS标准