BTS133BKSA1备选型号: HUFA76429D3
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 输出的数量
- 资历状况
- 输出类型
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 界面
- 电源电流
- 输出配置
- 功率耗散
- 输出电流
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- 最大电源电流
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 开关类型
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 额定输入电压
- 比率-输入:输出
- 电压-负荷
- 最大双电源电压
- 故障保护
- 输出峰值电流限制-名
- Rds On(Typ)
- 内置保护器
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- Power Switch ICs - Power Distribution HITFET18 Weeks通孔通孔TO-220-33170 μs-40°C~150°C TJTubeHITFET®2010e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99120mOhmTin (Sn)60V90WSINGLE未说明1not_compliant21A未说明1不合格N-Channel7A10VOn/Off30μA低侧90W7A不需要7ANon-Inverting100 μs通用型不含卤素60V60V1:160V Max60VCurrent Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage28A40m ΩOVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMALROHS3 Compliant含铅-------------------
- MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch8 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA320A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2001e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR9927mOhmTin (Sn)60V-----20A---------110W----7.7 ns-----------ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)343.08mgSILICONSingle增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA1480pF @ 25V46nC @ 10V36ns±16V56 ns20A16V60V无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP084N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO220-3 | 对比 |
![]() | IRFB7540PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB | 对比 |
| FQPF13N06L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F | 对比 |




哦! 它是空的。